金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示海顺优配，江苏天芯微半导体设备有限公司申请一项名为“一种通过离子注入来改善外延填充的方法和外延结构”的专利，公开号CN120201758A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种通过离子注入来改善外延填充的方法和外延结构，所述方法包括：提供覆有掩膜层的半导体衬底；第一次刻蚀沟槽区域形成第一沟槽；在所述第一沟槽侧壁形成阻挡层；第二次刻蚀第一沟槽底部所述半导体衬底，形成第二沟槽；在所述第二沟槽的侧壁进行离子注入，使离子掺杂浓度从侧壁顶部向底部逐渐递减；第三次刻蚀离子注入过的第二沟槽，使第二沟槽顶部暴露出缺口。本发明所述的方法通过在第二沟槽顶部设置缺口，以克服第二沟槽顶部开口提前紧缩的问题，提高了外延填充的效果，降低外延填充的工艺难度，进而降低半导体的生产成本；利用本发明所述方法获得的外延结构具有很好的外延填充质量。
天眼查资料显示，江苏天芯微半导体设备有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本16385.15万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏天芯微半导体设备有限公司参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息43条，专利信息136条，此外企业还拥有行政许可18个。
本文源自：金融界
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